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楼主

楼主 | 2025-8-6 20:44 | 只看该作者回帖奖励

本帖最后由 sqlgogo 于 2025-8-6 21:01 编辑

一、核心存储原理

[color=var(--cos-color-text)]?DRAM 基础结构?
- 存储单元由 ?1 个晶体管 + 1 个电容? 构成，电容电荷状态代表二进制数据（有电荷=1，无电荷=0）48
- 需?周期性刷新?补偿电容电荷泄漏，刷新机制是“动态”(Dynamic)特性的核心来源46
- ?随机访问(Random Access)? 特性：任意比特的读写耗时均等，通过行/列地址线精准寻址68
[color=var(--cos-color-text)]?SRAM 对比特性?
- 采用 ?6 晶体管双稳态电路?，无需刷新，速度更快但成本高、密度低，主要用于CPU缓存3

二、关键技术演进?DDR 代际升级?[td]

?HBM（高带宽内存）前沿?

三、核心性能指标优化

?时序与频率?
- ?预取(Prefetch)机制?：DDR5预取位数增至16n，单周期传输数据量倍增57
- ?双沿触发?：时钟上升/下降沿均传输数据，等效频率翻倍7
?信号完整性技术?
- ?ODT（片上终结电阻）?：抑制信号反射，提升高频稳定性5
- ?DFE（决策反馈均衡）?：动态补偿信道损耗，保障6400MT/s速率可靠性10

四、国产化技术突破

五、未来发展方向

[color=var(--cos-color-text)]注：技术演进数据截至2025年8月，综合行业头部企业技术路线图及JEDEC标准

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